В Китае разработали материал, позволяющий в 70 раз повысить скорость записи данных. Группа ученых из Шанхайского института микросистем и информационных технологий АНК разработала новый материал для производства памяти на основе фазового перехода (PCRAM). Результаты экспериментов показывают, что скорость записи в PCRAM, созданную с использованием нового материала из сплава скандия, сурьмы и теллура, достигла 700 пикосекунд. При этом максимальная скорость записи в действующих PCRAM из сплава германия, сурьмы и теллура составляет 50 тысяч пикосекунд.
russian.news.cn/2017-11/15/c_136753438.htm

То то тупые китайцы свое образование строят на советской модели. Непонятно почему-то они не воспитывают потребителей в школах